迄今为止已有的电子化合物，要么存在于富电子体系，如Ca2N（Ca为+2价，N为-3价，则每分子式富余1个电子）和Sr5P3（Sr为+2价，P为-3价，则每分子式富余1个电子）；要么是通过...[详细]
JournalofPhysicalChemistryLetters：奇妙的B4链状结构——二维Ⅲ-Ⅴ族半导体添新成员B5N3和B7N5近日，硕士生戚竞成与博士生王诗尧在JournalofPhysicalChemistryLe...[详细]
一氧化锡（α-SnO）是具有间接带隙（~0.7eV）的p型半导体，在锂离子电池和薄膜晶体管等诸多领域具有应用前景。然而作为半导体材料，其较窄的带隙（~0.7eV）严重限制SnO在...[详细]
MXenes材料自2011年问世以来，因其在储能、催化及电磁波屏蔽等方面极大的应用潜力，促使研究者开始寻找新的层状材料。基于传统的MAX相主体元素都局限于C或N，研...[详细]
作者：苗楠茜 审核：黄越5月23日，材料基因组国际合作研究中心王俊杰教授团队在NatureCommunications发表研究论文，这一研究成果首次应用材料基因工程技术发现新型硼...[详细]
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